天津：落实高耗能行业阶梯电价！

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1977年出生，落实1997年本科毕业于中国科学技术大学，1999和2002年分别获得美国哈佛大学化学硕士和物理化学博士学位。高耗2005年入选中国科学院百人计划。

业阶(2)先进电子和光子材料与器件。令人比较诧异的是上海科技大学，天津梯电发文数量也达到6篇。2005-2007年在加州大学圣芭芭拉分校从事博士后研究，落实2007年回到厦门大学任特聘教授，落实2009年获得国家杰出青年科学基金资助，同年受聘为教育部长江学者特聘教授，2016年6月获中国优秀青年科技人才奖。

在过去五年中，高耗段镶锋湖南大学团队在Nature和Science上发表了3篇文章。获1996-2000年度香港求是杰出青年学者奖、业阶2005年国家自然科学二等奖（排名第三）、2012年获何梁何利科技进步奖和2015年周光召基金会基础科学奖。

从表面配位化学的角度，天津梯电在分子层面上研究复杂的固体材料表界面化学过程，揭示纳米效应的本质。

尽管总数量令人可喜，落实但是其中独立研究的工作却仅有6篇，这说明我们国家的独立科研水平能力还有待提高。在器件性能迭代发展过程中，高耗为应对短沟道效应等方面的挑战，高耗一方面人们开发了鳍式场效应晶体管（FinFET）、环栅场效应晶体管（GAAFET）和三维集成等三维结构器件和系统技术，另一方面也提出使用碳纳米管（CNT）、石墨烯和二维过渡金属硫化物（TMDC）等低维材料作为沟道发展低维电子器件（图1）。

图3.单壁碳纳米管、业阶石墨烯、二硫化钼和氮化硼等低维材料的结构示意图。天津梯电中科院金属所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部主任。

他们首先指出，落实减少漏致势垒降低（DIBL）和亚阈值摆幅（SS）退化等短沟道效应影响的关键在于减小自然长度（naturallength），落实它反比于晶体管的栅数量N，正比于沟道厚度TS。先后牵头或参与研发了硅—石墨烯—锗垂直异质结构高速晶体管、高耗首例碳基时序逻辑集成电路和亚纳米原子尺度的鳍式晶体管阵列等关键技术，高耗半导体控温芯片领域的研究成果已经成功实施科技成果转化。